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第三代半导体技术、材料、市场论坛

会议背景

与第一代和第二代相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力,更适合制造耐高温、高压的大功率及高频器件,目前公认最具代表性的是SiCGaN材料。

 

特斯拉Model 3逆变器采用意法半导体的全SiC功率模块,之后,越来越多的车企都计划在主逆变器上应用SiC器件。2019SiC器件市场约为5亿美元,预计市场年均增速将高达40%,目前主要由英飞凌、意法、罗姆等国外厂商占据。国内SiC产业投资热度高涨,已披露的投资项目约20个,覆盖从衬底到功率模块全产业链,投资金额达300亿元。

 

GaN5G宏基站和毫米波小基站以及快充市场中获得应用。由于高频下具有较高的输出功率和效率,GaN在射频领域应用较多。20202月,小米推出65W GaN充电器,从0充电至100%仅需45分钟,引发市场热捧。2019GaN功率器件市场约为0.8亿美元,预计年增速也高达40%。目前GaN射频市场主要由CreeMacomIntel等占据,功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年,国内企业如三安集成、海威华芯等也在积极布局GaN项目。

 

后疫情时期,随着中国政府推动的新基建产业兴起,5G、新易胜博客服电话汽车、消费电子等行业的快速发展,SiCGaN产业和相关企业将迎来空前的发展机遇。

 

第三代半导体技术、材料、设备与市场论坛202098-9厦门召开。会议将由易胜博体育-易胜博客服电话-易胜博官网注册主办,多家国内外龙头企业重点参与。会议第二天将安排参观厦门第三代半导体企业或园区。


会议主题

1.      全球与中国第三代半导体市场及产业发展机遇

2.      中国第三代半导体产业政策与项目规划

3.      第三代半导体技术发展趋势

4.      SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展

5.      新基建相关产业对第三代半导体及材料的需求

6.      SiC市场以及技术发展难题&解决方案

7.      GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用

8.      GaN在快充市场中的发展及替代情况

9.      第三代半导体国产化与技术及设备发展机遇与挑战

10.   其他化合物半导体,如GaAs

11.   工业参观与考察(待定)


会议日程

202097日      周一

      17:00-20:00    会议报到注册

2020年9月8日    周二

      08:00-09:00    会前注册

      09:00-12:00    演讲报告

      12:00-14:00    自助午餐与交流

      14:00-18:00    演讲报告

      18:00-20:00    招待晚宴

2020年9月9日    周三

      09:00-16:00    工业参观


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