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大基金、华为支持,中国SiC衬底迎来腾飞?(附项目地图)

2020-07-27

2020714日,北京天科合达半导体股份有限公司的科创板上市申请获受理。根据招股说明书披露,在天科合达前十大股东阵营中,国家大基金位列第四大股东(持股比例5.08%),华为旗下的哈勃投资位列第五大股东(持股比例4.82%)。

 

20198月,哈勃科技投资有限公司投资了山东天岳先进材料科技有限公司。根据2020727日天眼查数据显示,目前哈勃投资是山东天岳第三大股东,持股比例为8.37%

 

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此外,根据天眼查显示,国家大基金是北京世纪金光半导体有限公司的第三大股东,持股比例10.55%

 

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碳化硅衬底需求随新基建发展不断攀升

 

碳化硅衬底主要可有导电型及半绝缘型两种。其中,在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅功率器件,应用于新易胜博客服电话汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层可以制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成微波射频器件,应用于5G通讯、雷达等领域。

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来源:天科合达招股说明书

 

与半导体硅片发展情况类似,碳化硅衬底也在不断向更大尺寸发展。随着全球6英寸碳化硅衬底生产技术的成熟完善、产品质量与稳定性的逐步提高,预计未来下游外延及器件厂商对于碳化硅衬底的需求将逐渐从以往的4英寸产品为主过渡到6英寸产品为主。在8英寸碳化硅衬底尚未实现成熟商业化的前提下,预计未来几年内6英寸碳化硅衬底产品将成为碳化硅衬底市场的主流。

 

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而伴随着新易胜博客服电话汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等行业的快速发展,碳化硅器件及碳化硅基氮化镓器件产品的需求也将不断攀升,从而拉动全球碳化硅衬底的需求。

 

碳化硅衬底的生产工艺难度极高,产业存在较高的技术壁垒。目前,碳化硅衬底产业重心主要在美国。以导电型碳化硅衬底为例,2018年美国占有全球碳化硅衬底产量的70%以上,仅Cree一家就占了一半以上的市场份额。

 

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来源:Yole Development

 

中国碳化硅衬底领域的研究从20世纪90年代末开始,在行业发展初期受到技术水平、设备规模产能的限制,未能进入工业化生产。21世纪,中国企业历经20年的研发与摸索,已经掌握了2-6英寸碳化硅衬底的生产加工技术。

 

在国家政策方面,2016年至今,中央和地方政府对第三代半导体产业给予了高度的重视。国务院、工信部、国家发改委、科技部、地方各级政府政府等纷纷出台政策或措施来促进中国第三代半导体产业的发展。

 

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近年来,以山东天岳、世纪金光、天科合达为首的国内各地多个碳化硅衬底项目陆续签约、开工、投产,并在国家大基金、哈勃投资等支持下,中国第三代半导体产业迎来了蓬勃式发展。

 

目前国内企业已经逐步掌握了2-6英寸碳化硅衬底生产的关键技术,缩小了与国际龙头企业间的技术差距,并有不少企业已经开始进行8英寸碳化硅衬底的研发生产,部分产品更是销往海外。

 

随着中国新易胜博客服电话汽车、5G通讯等领域的高速发展,中国碳化硅产业或将展翅腾飞。