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GaN器件市场预测与国内项目进展

2020-08-18

易胜博体育-易胜博客服电话-易胜博官网注册整理了国内主要的进行氮化镓外延/器件生产企业的相关情况,如下所示:

 

三安光电

 

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力,2014年进一步扩大LED外延、芯片研发与制造产业化建设,在厦门火炬高新区投资新建的产业基地,使公司的LED生产规模直接迈入国际顶尖行列。同时,投资集成电路产业,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目,项目量产后三安光电将成为中国第一家具备规模化研发、生产化合物半导体芯片能力的公司。2018年,在已有国际领先的产业水平基础上,三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元,占地2500亩,投资了III-V族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器,电力电子、SIC材料及器件,特种封装等产业,2022年项目建成后,三安光电将成为全球行业领头羊。

 

士兰明镓

 

士兰化合物半导体生产线项目于20191223日投产,计划7款产品逐步投入量产,将于2021年达产。

 

项目总投资50亿元,建设4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线,主要产品包括下一代光模块芯片、5G与射频相关模块、易胜博官网注册LED芯片产品。分两期实施,其中,项目一期投资20亿元,2019年底投产,2021年达产;项目二期投资30亿元,计划2021年启动,2024年达产。一期产能(等效2吋片)672万片/年;二期产能(等效2吋片)720万片/年,项目满产1392万片/年。

 

华润微电子

 

华润微电子在重庆拥有8英寸硅基氮化镓生产线,并推出了8英寸600V/10A GaN功率器件产品,用于电源管理

 

目前华润微电子600V硅衬底GaNHEMT器件主要静态参数基本达标,开始储备GaN外延材料的生产能力。

 

海威华芯

 

成都海威华芯科技有限公司位于四川省自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号,是国内率先提出6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工服务的制造企业。海威华芯投资建设6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线,主要包括砷化镓/氮化镓芯片生产线、SIP封装生产线、研发中心等,全部建成后可形成砷化镓半导体芯片4万片/年、氮化镓半导体芯片3万片/年、SIP封装3万片/年的生产能力。

 

海威华芯已完成了产线的工艺贯通,持续提升良品率已达到国际行业标准,全部主流代工工艺的开发工作均已完成并向全球发布。在5G通讯用芯片产品开发上,已成功开发出5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺,毫米波频段用0.15um砷化镓工艺用于核心产品能力的形成,同时功率器件和光通讯也已经规模量产,正在研发突破适用于高频和卫星通讯的0.1um砷化镓工艺、0.15um氮化镓工艺。

 

英诺赛科

 

英诺赛科(珠海)科技有限公司成立于20151217日,位于珠海市高新区金园二路39号。

 

英诺赛科于20171113日取得《关于英诺赛科(珠海)科技有限公司建设项目环境影响报告书的批复》,该项目建设两条生产线,分别为氮化镓外延片、功率芯片生产线和蓝宝石衬底晶圆生产线,设计产能为氮化镓外延片16000/年(8000片外售,8000片用于生产功率芯片)、功率芯片8000/年。该项目已于20193月完成竣工验收,目前处于正常运行中。

 

英诺赛科于201987日申报《英诺赛科(珠海)科技有限公司硅基氮化镓和外延片功率器件研发与产业化基地项目二期基建项目环境影响登记表》,新增占地13791.60平方米,用于建设英诺赛科硅基氮化镓和外延功率器件研发与产业化基地项目二期改扩建项目。

 

根据企业发展情况,英诺赛科拟取消蓝宝石衬底晶圆片生产线,增加一条氮化镓外延片及功率芯片生产线。项目改扩建后的设计产能为:氮化镓外延片4.8万片/年(一半外售、一半用于生产功率芯片)、功率芯片2.4万片/年。该项目预计于2020年年底试生产。

 

苏州能讯

 

苏州能讯高能半导体有限公司是由留美归国团队创办的一家高新技术企业,专门从事于第三代半导体氮化镓功率器件的生产制造。,能讯半导体采用IDM的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

 

能讯半导体氮化镓生产线2011年底落户昆山,2013年初试生产。2018年,对生产线技术改造并新增部分产能,扩建后设计总产能约为年产5.6万片氮化镓芯片。

 

20195月,新华社消息,苏州能讯4英寸氮化镓芯片产线建成,产能约为1.7万片氮化镓晶圆。

 

赛微电子

20187月,赛微电子与青岛市即墨区人民政府、青岛城投签署《合作框架协议书》,参与聚能晶源项目。以赛微电子控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司为项目主体,聚能晶源产线覆盖功率与微波器件应用,项目主要产品为面向功率芯片及微波芯片的氮化镓外延片,计划产能为近1万片的6-8英寸氮化镓外延晶圆。20199月,项目(一期)投产。

 

201911月,赛微电子发布公告称,其与青岛西海岸新区管委签署协议,拟在青岛西海岸新区投资建设氮化镓(GaN)晶圆制造项目。该项目拟建设一条6英寸氮化镓微波器件生产线和一条8英寸氮化镓功率器件生产线;项目总建筑面积约20.40万平米,其中厂房与办公建筑面积约18.00万平米,宿舍面积约2.40万平米。项目主体为青岛聚能创芯微电子有限公司。

 

江苏能华微

 

江苏能华微电子科技发展有限公司成立于20106月,注册资本4500万元,位于江苏省张家港市经济技术开发区国家级创业服务中心内,是由国家千人计划专家,朱廷刚博士领衔的,由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发,生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。产品主要为氮化镓外延片、氮化镓二极管及氮化镓器件代工服务等。

 

聚力成

 

2018910日,重庆市大足区人民政府与重庆捷舜科技有限公司举行“聚力成外延片和晶片产线项目”签约仪式。该项目落户大足高新区,总投资50亿元,占地500亩,5年总产值100亿元,税收13.1亿元。20199月,聚力成半导体成功试产的第三代半导体产品氮化镓外延片在重庆发布。

 

聚力成于重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂,占地500亩,总投资50亿元。整个项目计划建成年产能24万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。目前,一期年产12万片氮化镓外延片产线已经投产。

 

大连芯冠

 

大连芯冠科技有限公司是一家由海外归国团队创立的半导体高新技术企业,2016317日成立于大连高新区,注册资本9183万元。公司采用IDM模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售,产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

 

公司已建成6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线,年产能约为1万片/年的硅基氮化镓外延片及晶圆。

 

20193月,芯冠科技推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品(通过1000小时HTRB可靠性测试),并正式投放市场。

 

江苏华功

 

江苏华功半导体有限公司成立于20165月,在第三代半导体行业拥有雄厚的专家资源、优秀的人才队伍、长期的技术积累和丰富的产业化经验。业内著名的北京大学、中山大学、中国电子信息产业集团(CEC)下属合肥彩虹蓝光科技有限公司以及东莞中镓半导体科技有限公司组成公司技术团队,同时若干投资人成立了华功半导体产业发展有限公司,为公司发展提供先进的管理经验和有力的资金保障。

 

公司注册资本为2亿元人民币,落户苏州市吴江区。

 

项目产品方案

产品名称

规格尺寸

设计产能

备注

硅基氮化镓外延片

6英寸,外延层厚度3-5um

24万片/

中间产品,不外售

封装芯片

5mm×3mm

2.4亿颗/

最终产品

 

中晶半导体

 

东莞中晶半导体科技有限公司是一家集半导体材料、芯片、器件等设计、研发、生产于一体的综合开发公司。20196月,东莞中晶半导体投资10亿元,在东莞市松山湖高新技术产业开发区东部地区及电子信息产业基地附近建设东莞中晶半导体科技有限公司Micro LED产业化项目,项目年产2英寸氮化镓自支撑衬底2880片、氮化镓基发光二极管晶圆30万片、氮化镓基发光二极管芯片10万片(芯片产品数量为等效晶圆产品数量)。